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2N7002LT1G是ON安森美一款N沟道MOS场效应管，采用SOT-23封装，具有小尺寸、低功耗的特点。它适用于各种低功耗、中等功率的放大和开关电路设计。现货供应NO安森美旗下电子元器件供应商-金沙娱场城app7979将为大家提供2N7002LT1G中文参数、功能特点、应用领域和引脚图。
品牌：安森美
系列：场效应管
描述：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C时电流-连续漏极(Id)：115mA（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：50pF @ 25V
功率耗散（最大值）：225mW（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：SOT-23-3（TO-236）
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1. N沟道MOS场效应晶体管：适用于各种通用放大和开关电路设计。
2. 小封装尺寸：采用SOT-23封装，适合于紧凑空间的表面安装设计。
3. 低功耗：适用于低功耗电子设备和系统的设计。
4. 高频特性：具有良好的高频特性，适合于高频放大电路设计。
2N7002LT1G广泛应用于各种低功耗、中等功率的放大和开关电路中，包括但不限于以下领域：
1. 电源管理：如低压开关电源、DC-DC变换器等的控制电路设计。
2. 信号开关：如模拟信号开关、数字信号开关等的电路设计。
3. 电流控制：如电流限制器、电流源等的电路设计。
4. 逆变器：如逆变器、驱动器等的电路设计。
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