罗姆推出新产品EcoGaN™ Power Stage IC，助力功率转换效率提升和器件小型化

近日，罗姆半导体（ROHM）又推出了一款全新的产品，名为EcoGaN™ Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”。该产品具备取代现有Si MOSFET的能力，从而可将器件体积减少99%，功率损耗降低55%。这将有助于减小服务器和AC适配器的体积，并降低电能损耗。

针对可持续发展的需求，ROHM半导体技术中心High Power Solution部门负责人周劲介绍说，GaN HEMT是一种被寄予厚望的器件，可以提高功率转换效率和实现器件小型化。然而，与Si MOSFET相比，GaN HEMT的栅极处理较为困难，例如驱动电压低、易于误启动，栅极耐电压低，存在损坏风险。为此，必须与驱动栅极用的驱动器结合使用，这不仅增加了设计复杂度，还会增加系统成本。

为了解决这个问题，ROHM结合其擅长的功率和模拟两种核心技术优势，开发出了一款集成了功率半导体和模拟半导体的Power Stage IC。换句话说，该产品集成了新一代功率器件650V GaN HEMT，具备专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。此外，该产品支持更宽的驱动电压范围（2.5V～30V），适用于替代现有的Si MOSFET。EcoGaN™ Power Stage IC具备以下三个特点：

首先，它支持各种一次侧电源电路。由于驱动范围宽、启动时间短，并且传输延迟时间短，因此可以广泛应用于各种AC-DC电路，包括反激式、半桥、交错式PFC和图腾柱PFC。同时，使用该产品可以简化整体环路等设计。

其次，该产品进一步降低了功耗。在导通损耗影响较小的情况下，相较于Si MOSFET单体，功耗减少了55%。与普通产品相比，它仍然可以达到20%左右的功耗减小程度。

同时，该产品还实现了进一步的小型化。一般来说，普通产品涉及9个相关元器件，而罗姆的新产品通过简化驱动方式，只需要1个外置Power Stage相关元器件。

目前，Power Stage IC有两款型号：BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB，导通电阻分别为70毫欧和150毫欧。此外，罗姆还提供了三款评估板，BM3G007MUV-EVK-002用于评估BM3G007MUV-LB，BM3G015MUV-LB和BM3G015MUV-LB的性能和特点。这些评估板旨在帮助客户快速评估和验证EcoGaN™ Power Stage IC的性能。

据介绍，BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB是两种功率级别不同的Power Stage IC。BM3G007MUV-LB的导通电阻为70毫欧，适用于低功率应用，而BM3G015MUV-LB的导通电阻为150毫欧，适用于中等功率应用。这两款产品均采用了ROHM自家研发的650V GaN HEMT技术，具备高效率和小型化的特点。

针对这两款Power Stage IC，ROHM提供了三款评估板，分别是BM3G007MUV-EVK-002、BM3G015MUV-EVK-002和BM3G015MUV-EVK-003。这些评估板旨在帮助客户快速评估EcoGaN™ Power Stage IC的性能，并验证其在实际应用中的可行性。

评估板BM3G007MUV-EVK-002适用于评估BM3G007MUV-LB，而BM3G015MUV-EVK-002和BM3G015MUV-EVK-003适用于评估BM3G015MUV-LB。这些评估板提供了完整的电路和驱动器，以及各种测试点和接口，方便客户进行性能测试和系统验证。

通过使用这些评估板，客户可以快速了解EcoGaN™ Power Stage IC的性能特点，包括功率转换效率、功率因数改善、小型化等。同时，客户还可以验证这些器件在不同应用场景下的稳定性和可靠性。

总体而言，罗姆的EcoGaN™ Power Stage IC系列与GaN器件相结合，为客户提供了灵活选择的机会。预计在2024年一季度，准偕振AC-DC+GaN的器件和功率因数改善+GaN的器件将开始量产，而半桥+GaN的器件预计在2024年第二季度量产。这些新产品的推出将进一步推动功率转换效率的提升和器件的小型化，为可持续发展的电力应用提供了更加高效和可靠的解决方案。

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