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随着氮化镓（GaN）技术的商业化推进，氮化镓在功率转换解决方案中展现出了巨大的潜力。GaN技术相比于传统的硅基晶体管具有诸多优点，例如更出色的品质因数(FoM)、导通电阻(RDS(on))和总栅电荷(QG)等性能，同时还提供了更高的漏源电压能力、零反向恢复电荷和极低的本征电容。这使得先进的GaN技术解决方案在功率转换应用中可以实现更高的效率和功率密度，同时满足了严格的能源要求。
最近，意法半导体宣布开始量产一种名为PowerGaN HEMT（高电子迁移率晶体管）的增强模式GaN器件，这一系列的晶体管可以简化高效功率转换系统的设计。STPOWER™ GaN晶体管是一种基于氮化镓（GaN）的高效晶体管，可以提升墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电以及汽车电气化等应用的性能。
在该系列的初始产品中，SGT120R65AL和SGT65R65AL是两款工业级650V常关G-HEMT™晶体管。它们采用了PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外，它们还具备3nC和5.4nC的总栅极电荷、低寄生电容等特性，以确保晶体管在导通和关断过程中损耗能量最小化。开尔文源极引脚的引入可以优化栅极驱动。除了减小电源和适配器的尺寸和重量外，这两款新的GaN晶体管还可以实现更高的能效、更低的工作温度以及更长的使用寿命。
意法半导体的G-HEMT器件将加速功率转换系统向GaN宽带隙技术的过渡。相比于硅基晶体管，GaN晶体管具有相同的击穿电压和导通电阻(RDS(on))，但总栅极电荷和寄生电容更低，同时也没有反向恢复电荷。这些特性提升了晶体管的能效和开关性能，使得可以使用更小的无源器件实现更高的开关频率和功率密度。因此，应用设备可以变得更小巧且性能更出众。未来，GaN技术还有望实现全新的功率转换拓扑结构，进一步提高能效并降低功耗。
意法半导体的PowerGaN分立器件的产能充足，可以满足客户大规模生产的需求。SGT120R65AL和SGT65R65AL已经上市，采用了PowerFLAT 5x6 HV封装。通过使用这些GaN晶体管，功率转换技术将迎来一个全新的时代。
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2024年3月11日，中国，意法半导体最新推出的IPS8200HQ和IPS8200HQ-1八路高边开关器件，融合智能功能和设计灵活性。每条通道导通电阻RDS(on)(典型值)仅为110mΩ，保护系统能效，体积紧凑，节省PCB空间。这两款器件可以控制容性负载、阻性负载或感性负载，一边接地，工作电压范围为10.5V至36V，兼...【详情+】
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