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随着通信基站和工业设备领域的发展,为了提高效率和降低电流值,12V和24V系统逐渐被转换为48V系统。而48V系统电源下的风扇电机也需要具备100V的耐压能力,以应对电压波动。然而,提高耐压能力会导致导通电阻的增加,从而降低效率。因此,如何在高耐压和低导通电阻之间取得平衡,一直是一个挑战。
为了满足市场需求,ROHM开发了一系列新产品,采用了Nch和Pch的MOSFET芯片,并通过背面散热封装形式,实现了业界超低的导通电阻。这些新产品具有出色的散热性能,能够显著降低导通电阻,从而进一步降低应用设备的功耗。与传统的双MOSFET相比,新产品的导通电阻降低了56%。此外,通过将两个芯片一体化封装,可以减少安装面积,帮助应用设备节省空间。例如,使用HSOP8封装的产品替换两个单独的MOSFET芯片,可以减少77%的安装面积。
新产品已于2023年7月开始批量生产,每月产量达到100万个。如需了解具体产品信息,请联系客服(客服微信:13310830171)ROHM还计划扩大双MOSFET的耐压阵容,并开发低噪声产品,以满足工业设备领域的需求。未来,ROHM将继续努力降低功耗、节省空间,为解决环境保护等社会问题做出贡献。
<产品阵容>
Nch+Nch 双MOSFET产品型号、参数、封装:
Nch+Pch 双MOSFET产品型号、参数、封装:
<应用示例>
・通信基站用风扇电机
・FA设备等工业设备用风扇电机
・数据中心等服务器用风扇电机
<通过与预驱动器ic相结合,为电机驱动提供更出色的解决方案>
ROHM通过将新产品与已具有丰硕实际应用业绩的单相和三相无刷电机用预驱动器IC相结合,使电机电路板的进一步小型化、低功耗和静音驱动成为可能。通过为外围电路设计提供双MOSFET系列和预驱动器IC相结合的综合支持,为客户提供满足其需求且更出色的电机驱动解决方案。
与100V耐压双MOSFET相结合的示例:
HT8KE5(Nch+Nch 双MOSFET)和BM64070MUV(三相无刷电机用预驱动器IC)
HP8KE6(Nch+Nch 双MOSFET)和BM64300MUV(三相无刷电机用预驱动器IC)等
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