ROHM第4代SiC MOSFET：特点与应用效果初探

来源：ROHM| 发布日期：2023-08-18 10:35:06 浏览量：

随着电力电子技术的不断发展，SiC MOSFET作为一种高性能的功率开关器件，得到了广泛的关注和应用。ROHM作为一家领先的半导体公司，推出了第4代SiC MOSFET产品，通过进一步改进结构和性能，实现了更低的导通电阻和更出色的高速开关特性。本文将为您介绍ROHM第4代SiC MOSFET的特点，并初步了解其在应用中的效果。

1、改进的双沟槽结构：更低导通电阻和短路耐受时间

ROHM第4代SiC MOSFET通过改进双沟槽结构，进一步提升了性能。其中，针对EV牵引逆变器等应用所需的短路耐受时间进行了改善。与第3代SiC MOSFET相比，第4代产品的导通电阻降低了约40%。这使得第4代SiC MOSFET的导通电阻达到了业内超低级别，为电路的高效运行提供了有力支持。

改进的双沟槽结构：更低导通电阻和短路耐受时间

2、降低寄生电容：更低的开关损耗

第4代SiC MOSFET在设计中大幅降低了栅-漏电容(CGD)，成功地降低了开关损耗。与第3代SiC MOSFET相比，开关损耗降低了约50%。这一改进使得第4代SiC MOSFET在高速开关应用中表现出色，为提高系统效率和减少能量损耗做出了重要贡献。

降低寄生电容：更低的开关损耗

3、支持15V栅-源电压驱动：更简化的产品设计

第4代SiC MOSFET将栅-源电压驱动(VGS)降低至15V。相较于第3代SiC MOSFET的18V驱动电压，第4代产品的15V驱动电压使得应用产品的设计更加容易。这为系统设计师提供了更大的灵活性和便利性，同时降低了设计成本和复杂度。

综上所述，ROHM推出的第4代SiC MOSFET在性能和特点上有了显著的提升。通过降低导通电阻、寄生电容和驱动电压，该产品在高效能电力电子应用中表现出色。然而，需要注意的是，本文仅初步了解了第4代SiC MOSFET的特点和应用效果，更多详细信息需要进一步的实验和验证。随着SiC MOSFET技术的不断进步，相信其在各个领域的应用将会有更广阔的前景。

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