Vishay推出第四代650V E系列功率MOSFET，提升能效和功率密度

来源：威世科技| 发布日期：2023-09-06 09:00:01 浏览量：

Vishay（威世）最近发布了新型的第四代650V E系列功率MOSFET，旨在提高通信、工业和计算应用的能效和功率密度。其中，Vishay Siliconix的n沟道SiHP054N65E功率MOSFET相比前代产品，降低了48.2%的导通电阻，并将导通电阻与栅极电荷乘积下降了59%。这个参数被认为是650V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。

Vishay拥有丰富的MOSFET技术，广泛支持功率转换过程，包括从高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。通过推出SiHP054N65E以及其他第四代600V E系列器件，Vishay能够在电源系统架构设计的早期满足提高能效和功率密度的需求，包括功率因数校正（PFC）和后续的DC/DC转换器砖式电源。这些器件在服务器、边缘计算和数据存储、UPS、高强度放电（HID）灯和荧光镇流器、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动以及电池充电器等典型应用中发挥作用。

SiHP054N65E采用了Vishay先进的高能效E系列超级结技术，其在10V下的典型导通电阻仅为0.051Ω，从而提高了对2kW以上各种应用的额定功率支持，并满足了符合开放计算项目Open Rack V3（ORV3）标准的要求。此外，这款MOSFET的超低栅极电荷下降到了72nC。器件的FOM为3.67Ω*nC，比同类竞争产品低1.1%。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而实现了节能效果，提高了能效。该器件还满足服务器电源钛效应的特殊要求，或者使通信电源达到96%的峰值效率。

此外，最近发布的MOSFET的有效输出电容Co(er)和Co(tr)的典型值分别仅为115pF和772pF，可以改善硬开关拓扑结构的开关性能，如PFC、半桥和双开关顺向设计。该器件的电阻与Co(tr)乘积FOM降至5.87Ω*pF，达到了行业先进水平。SiHP054N65E采用TO-220AB封装，提高了dv/dt的耐用性，符合RoHS和Vishay的绿色标准，无卤素，能够耐受雪崩模式下的电压瞬变，并通过了100%的UIS测试。

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