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11月2日，由AspenCore主办的2023国际集成电路展览会暨研讨会（IIC）在深圳成功举办。与大会同时举办的2023全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, WEAA）评选中，Nexperia（安世半导体）的SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET（ASFET）荣膺年度功率半导体产品奖（Power Semiconductor/Driver of the year）！安世半导体中国区工业及消费市场业务高级总监李东岳受邀出席并领奖。
全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards）旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者。对获奖公司以及个人来说，全球电子成就奖的获得是一项崇高的荣誉。获奖产品安世半导体的全新专用MOSFET（ASFET）系列产品是专为热插拔应用而设计，采用紧凑型8x8mm LFPAK88封装，具有增强安全工作区（SOA）的特性。这些ASFET提供80V和100V两种型号，兼顾低RDS(on)和强大线性模式性能，非常适合电信和计算设备中要求苛刻的热插拔和软启动应用。
与前几代产品相比，Nexperia（安世半导体）的ASFET具有增强的SOA，数据手册中提供了经过全面测试的高温下SOA曲线，以及节省空间的尺寸，为热插拔和计算应用提供了优化的解决方案，提供了业界领先的功率密度改进。LFPAK88封装是D2PAK封装的理想替代选项，空间节省效率高达60%。PSMN2R3-100SSE的RDS(on)仅为2.3mΩ，相较于现有器件至少降低了40%。LFPAK88不仅将功率密度提高了58倍，还提供两倍的ID(max)额定电流以及超低热阻和电阻。
Nexperia（安世半导体）还提供采用5x6mm LFPAK56E封装的25V、30V、80V和100V ASFET系列产品，并针对需要更小PCB管脚尺寸的低功耗应用进行了优化。这些创新产品的问世将为电子产业带来新的发展机遇，也为Nexperia赢得了业界的认可和赞誉。
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