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2023年IEEE国际电子元件会议(IEDM)上，台积电发布了进军至1nm制程的产品规划蓝图，这一计划与英特尔去年透露的规划类似。根据规划，台积电将并行推动3D封装和单芯片封装的技术路径的发展。预计在2025年，台积电将完成N2和N2P节点，使得采用3D封装的芯片晶体管数量超过5000亿个，而采用传统封装技术的芯片晶体管数量超过1000亿个。
台积电计划在2027年达到A14节点，并在2030年达到A10节点，即1nm制程芯片。届时，采用台积电3D封装技术的芯片晶体管数量将超过1万亿个，而采用传统封装技术的芯片晶体管数量将超过2000亿个。
据悉，台积电将使用EUV极紫外光刻、新通道材料、金属氧化物ESL、自对齐线弹性空间、低损伤低硬化低K铜材料填充等一系列新材料、新技术，并结合CoWoS、InFO、SoIC等一系列封装技术。
台积电在会议上还透露，其1.4nm级工艺制程研发已经全面展开。同时，台积电重申，2nm级制程将按计划于2025年开始量产。
尽管台积电的发展速度有所放缓，但其在半导体代工领域的竞争对手，如三星等公司，仍在不断努力追赶台积电在先进制程领域的领先地位。今年六月，三星代工公布了其最新的工艺技术发展路线图，计划在2025年推出2纳米制程的SF2工艺，并在2027年推出1.4纳米制程的SF1.4工艺。如果这些计划能够如期实现，三星有可能在与台积电相似的时间节点上实现类似的先进工艺水平。
一、引言在半导体行业中，制程工艺的进步一直是推动技术发展的关键因素。英特尔和台积电作为全球领先的半导体制造厂商，各自在不同节点上推出了先进的工艺技术。本文将对英特尔的22nm工艺与台积电的16nm工艺进行详细对比，从性能、功耗、成本和技术特点等方面分析，探讨哪种工艺更具...【详情+】
继在美国和日本之后，全球领先的半导体制造商台积电宣布，其位于德国的工厂将于8月20日在德勒斯登举行盛大的动土典礼。台积电董事长魏哲家将亲自率领包括共同营运长秦永沛、副共同营运长侯永清及张晓强在内的高级管理层出席此次典礼。台积电表示，欧洲半导体制造公司（ESMC）项目进展顺...【详情+】
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