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HFA3096是超高频晶体管阵列,采用瑞萨电子互补双极 UHF-1 工艺制造。每个阵列由位于公共单片基板上的五个电介质隔离晶体管组成。 NPN 晶体管的 f T为 8GHz,而 PNP 晶体管的 f T为 5. 5GHz。两种类型均表现出低噪声 (3. 5dB),使其成为高频放大器和混频器应用的理想选择。 HFA3046和HFA3127均为NPN阵列,而HFA3128则全部为PNP晶体管。 HFA3096 是 NPN-PNP 组合。可以访问各个晶体管的每个端子,以实现最大的应用灵活性。这些晶体管阵列的单片结构提供了五个晶体管的紧密电气和热匹配。瑞萨代理-金沙娱场城app7979为您提供HFA3096产品特性、引脚图及订购型号。
NPN 晶体管 (f T )。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8GHz
NPN 电流增益 (h FE )。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 130
NPN 早期电压 (V A )。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50V
PNP 晶体管 (f T )。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5GHz
PNP 电流增益 (h FE )。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
PNP 早期电压 (V A )。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .20V
1.0GHz 时的噪声系数 (50Ω)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5分贝
集电极到集电极泄漏。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .<1pA
晶体管之间完全隔离
引脚与行业标准 3XXX 系列阵列兼容
无铅(符合 RoHS 标准)
HFA3096BZ
HFA3096BZ96
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