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STUW81300高性能双架构频率合成器中文简介及引脚图

来源:意法半导体代理商| 发布日期:2024-09-25 14:00:01 浏览量:

STUW81300是一款集成了双架构频率合成器(小数 N 分频和整数 N)和四个低相位噪声 VCO 的高性能芯片。该芯片具有快速自动中心频率校准功能,能够在单个器件中提供从 1.925 GHz 到 16 GHz 的宽广频率范围。通过集成低噪声 LDO 稳压器和内部匹配的宽带射频输出,STUW81300 优化了最终应用的尺寸和成本。

STUW81300高性能双架构频率合成器中文简介

STUW81300功能特点

-宽广的输出频率范围:1.925 GHz 至 16 GHz。

-射频输出:

  -射频输出 1(VCO、VCO÷2):1.925-8.0 GHz。

  -射频输出 2(VCO x 2):7.7-16.0 GHz。

-极低的噪声:

  - 归一化相位本底噪声:-227 dBc/Hz。

  - VCO 相位噪声(6.0 GHz):-131 dBc/Hz @ 1 MHz 偏移。

  - 本底噪声(6.0 GHz):-158 dBc/Hz。

  - 相位噪声(12 GHz):-125 dBc/Hz @ 1 MHz 偏移。

  - 本底噪声(12 GHz):-154 dBc/Hz。

-集成 VCO:具有快速自动中心频率校准功能。

-外部 VCO 选项:支持带 5 V 电荷泵的外部 VCO。

-倍频器输出:基波 VCO 抑制在倍频器输出高于 20 dB 时。

-内部宽带匹配射频输出:提供 +6 dBm @ 6 GHz 和 +4 dBm @ 12 GHz 单端。

-集成低噪声 LDO:优化电源稳定性。

-最大鉴相器频率:100 MHz。

-精确频率模式:支持高精度频率合成。

-差分参考时钟输入:支持高达 800 MHz 的差分参考时钟输入,符合 LVDS 和 LVECPL 标准。

-集成参考晶体振荡器内核:提供稳定的参考时钟。

-R/W SPI 接口:支持读写操作,方便配置和监控。

-逻辑兼容性:1.8 V/3.3 V 逻辑兼容性/容差。

-电源电压:3.0 V 至 5.4 V。

-封装:小尺寸外露焊盘 VFQFPN36 封装,尺寸为 6x6x1.0 mm。

-工艺:BICMOS 0.25 μm SiGe。

其他功能

-晶体振荡器内核:集成的晶体振荡器内核提供稳定的参考时钟,确保频率合成的准确性。

-外部 VCO 模式:支持外部 VCO 模式,提供更大的灵活性。

-输出静音功能:可以在需要时关闭输出,减少功耗和干扰。

-低功耗模式:通过权衡电流消耗与相位噪声性能和/或输出电平,实现低功耗操作。

STUW81300应用领域

-通信系统:无线基站、卫星通信、雷达系统。

-测试与测量设备:频谱分析仪、信号发生器。

-工业自动化:高精度传感器、控制系统。

-医疗设备:超声设备、成像系统。

STUW81300引脚图

STUW81300引脚图


STUW81300采购型号

STUW81300TR

STUW81300T

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