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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压功率半导体器件，常用于电力电子设备中。半电流和全电流是指IGBT的两种不同工作方式。
半电流模式下，IGBT只允许电流在一个方向上流动，即只有正向电流通过。这种模式适用于需要控制电流方向的应用，例如电机驱动器。在半电流模式下，IGBT的电流承受能力较高，但其导通压降较大。
全电流模式下，IGBT允许电流在两个方向上流动，即正向电流和反向电流都可以通过。这种模式适用于需要双向电流控制的应用，例如逆变器。在全电流模式下，IGBT的电流承受能力较低，但其导通压降较小。
因此，半电流和全电流是指IGBT的两种不同工作方式，根据应用需求选择合适的工作模式。
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