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9月13日，《韩国经济日报》透露，三星与包括小米、OPPO和谷歌在内的客户签订了存储芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片的价格较现有合同价格上涨了10%至20%。三星预测，从第四季度开始，存储芯片市场可能会供不应求。这些手机厂商可能预计到智能手机销量会增加，特别是在海外市场，所以接受了价格上涨。
另一方面，三星还计划以更高的价格向自家生产Galaxy系列手机的移动业务部门供应存储芯片，以反映移动芯片价格上涨的趋势。
此外，据台媒报道，三星、铠侠及SK海力士等上游NAND Flash原厂已经开始提高晶圆合约价。由于中间通路和下游系统模组厂的库存低于正常水平，引发了终端抢货，消费性SSD、存储卡，手机相关零组件如eMMC、eMCP的价格全面上涨。供应链表示，目前平均涨幅约为个位数，由于部分存储产品库存水位相对较低，因此四季度涨幅有望达到双位数。
TrendForce指出，韩国内存芯片厂商已决定提高其最新芯片的价格，涨价可能会持续到第四季度。
TrendForce另一篇研报也显示，NAND Flash Wafer合约价已在8月反弹，且随着减产幅度扩大，客户备货力度有望回升，有效支撑9月NAND Flash晶圆合约价续涨。该机构预计，Q4 NAND Flash均价有望因此持平或小幅上涨，环比涨幅约0~5%。
此外，业内人士透露，NAND闪存客户不再削减订单量，转而开始增加订单。
然而，涨价的风波并非仅限于NAND闪存——在DRAM市场，得益于LPDDR5X等智能手机相关存储新品带动，DRAM芯片价格也开始逐步上涨。
存储芯片制造商正在着手进一步削减实际资本支出和晶圆投入量，降幅甚至超过50%。在这种情况下，今年DRAM及NAND闪存位供应降幅可能在10%以上。
随着行业领头羊三星的减产举措，存储市场似乎已经出现了拐点。信达证券指出，存储原厂减产效应已经显现，库存去化效果明显。并且伴随着市场备货旺季的到来，整体出货节奏加快，价格或已显现拐点，存储周期有望开启复苏。
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据韩国媒体报道，存储芯片巨头三星内部认为当前NAND Flash芯片供应价格过低，计划在今年第四季将NAND Flash芯片价格调涨10%以上，最早从10月开始实施涨价。消息人士透露，三星已与小米、OPPO和谷歌等客户签署了内存芯片供应协议，将DRAM和NAND Flash芯片价格上调10%-20%。预计从第四季度开始，存储芯片市场可能会出现供不应求的状况。今年以来，三星一直在采取减产策略。最初的减产主要集中在DRAM领域，而下半年开始大幅削减NAND Flash芯片的产量。此次调涨NAND Flash芯...【详情+】
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