Nexperia推出新款GaN FET器件，为工业和可再生能源应用提供更多选择

2023年12月11日，基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出新款GaN FET器件，采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。

Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面拥有丰富的专业知识，经过二十多年的耕耘，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。

GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用CCPAK1212i顶部散热封装技术，开创了宽禁带半导体和铜夹片封装相结合的新时代。这项技术为太阳能和家用热泵等可再生能源应用带来诸多优势，进一步加强了Nexperia为可持续应用开发前沿器件技术的承诺。同时，该技术还适用于广泛的工业应用，如伺服驱动器、开关模式电源(SMPS)、服务器和电信应用。

Nexperia的创新型CCPAK封装采用了Nexperia成熟的铜夹片封装技术，无需内部焊线，从而可以减少寄生损耗，优化电气和热性能，并提高了器件的可靠性。为了更大限度地提升设计灵活性，CCPAK GaN FET提供顶部或底部散热配置，进一步改善散热性能。

GAN039-650NTB的级联配置使其能够提供出色的开关和导通性能，其稳健可靠的栅极结构可提供较高的噪声容限，从而有益于简化应用设计，无需复杂的栅极驱动器和控制电路，只需使用标准硅MOSFET驱动器即可轻松驱动这些器件。Nexperia的GaN技术提高了开关稳定性，并有助于将裸片尺寸缩小约24%。此外，器件的RDS(on)在25℃时仅为33 mΩ（典型值），同时其具有较高的门极阈值电压和较低的等效体二极管导通压降。

Nexperia副总裁兼GaN FET业务部总经理Carlos Castro表示：“Nexperia深刻认识到，工业和可再生能源设备的设计人员需要一种高度稳健的开关解决方案，以便在进行功率转换时实现出色的热效率。因此Nexperia决定将其级联GaN FET的优异开关性能与其CCPAK封装技术相结合，为设计人员提供更多选择。我们的新款GaN FET器件不仅在性能上具有优势，而且在封装方面也进行了创新，为工程师们提供更大的设计灵活性和便利性。”

Nexperia的新款GaN FET器件GAN039-650NTB已经投入量产，并很快将推出底部散热型版本GAN039-650NBB，其RDS(on)与前者相同。对于工业和可再生能源应用的设计人员来说，Nexperia的新款GaN FET器件将成为他们实现高效、可靠和节能的电源转换解决方案的理想选择。通过结合先进的GaN技术和创新的CCPAK封装，Nexperia为客户提供了更多灵活的选项，助力他们在不断发展的市场中取得成功。如需数据手册、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。