AOS推出高压AOK095A60FD和AOTF125A60FDL，满足工业电源应用需求

来源：Alpha & Omega Semiconductor| 发布日期：2024-01-31 14:09:21 浏览量：

Alpha & Omega Semiconductor Limited (AOS)最近发布了适用于服务器、太阳能逆变器、电动汽车充电和工业电力等各类电源应用的αMOS5 高压 FRD（快恢复二极管）MOSFET 器件AOK095A60FD 和 AOTF125A60FDL。这两款器件具有额定耐压为600 V，导通电阻的最大值分别为95 mΩ和125 mΩ，可有效地减少高压开关电源转换应用中的导通损耗。它们是基于AOS独有的αMOS5超结高压技术平台，特别设计以实现易用性和稳健性，满足高开关速度运行的功率密集型应用需求。

现代中高功率开关电源和逆变器系统的设计具有更高的效率和功率密度，同时兼顾整体方案的成本或可靠性。AOS的高压超结MOSFET适用于一系列开关模式功率转换拓扑，包括单相、交错、双升压、CrCM TP PFC、LLC、PSFB、多级NPC/ANPC等拓扑的主要选择。

AOS推出高压αMOS5™FRD系列MOSFET，满足工业电源应用需求

在其他应用中，PSFB DC-DC转换拓扑通常用于电信设备电源系统应用，其中需要隔离较高电压（400 V 或更高）并降压至标准48 V负载点总线电压。电流或电压模式控制方案可用于实现PSFB或其他拓扑，并使用零电压开关(ZVS)和同步整流技术最大限度地提高电源转换效率。

在MOSFET结构中，漏极端子和源极端子之间形成PN接面，即体二极管。在正常工作期间，体二极管充当阻断二极管，防止电流从漏极流向源极。然而，在某些应用场景下，体二极管会操作在正向偏置导通电流的工作区间。系统短路或启动瞬间等工况下，MOSFET会连续操作在间歇性的正向偏置与反向偏置换向。为了MOSFET应用的稳健性，其体二极管必须能在正向偏置时导通电流，并在反向偏置时迅速阻断电流，且需要承受快速且间歇性的正向与反向的换向电压应力而不造成损坏。αMOS5 FRD MOSFET的体二极管经过优化设计，使其不仅降低了反向恢复电荷(Qrr)，并且能够承受更高速(di/dt)的正向与反向的换向应力。

除了传统的单向电源拓扑以外，AOK095A60FD和AOTF125A60FDL非常适合用在双向转换功率的电源拓扑中。全球电源业务及高压产品线资深市场总监Richard Zhang表示，随着逆变器与储能市场增长趋势，高压电池组越来越广泛地应用在交流耦合的储能系统中，AOK095A60FD和AOTF125A60FDL将成为双向PFC逆变器和DC-DC转换器的领先解决方案，用于大型蓄电池的电源系统。如需数据手册、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

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