Micron Technology宣布量产HBM3E高带宽内存解决方案

来源：Micron公司| 发布日期：2024-03-05 09:33:23 浏览量：

2024年3月4日，全球内存与存储解决方案领先供应商Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布已开始量产其HBM3E高带宽内存解决方案。英伟达H200 Tensor Core GPU将采用美光8层堆叠的24GB容量HBM3E内存，并于2024年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业领先地位，并且凭借HBM3E的超凡性能和能效为人工智能（AI）解决方案赋能。

随着人工智能需求的持续激增，内存解决方案对于满足工作负载需求的增加至关重要。美光HBM3E解决方案通过以下优势直面这一挑战：

-卓越的性能：美光HBM3E引脚速率超过9.2Gb/s，提供超过1.2TB/s的内存带宽，助力人工智能加速器、超级计算机和数据中心实现超高速的数据访问。

-出色的能效：美光HBM3E功耗比竞品低约30%，处于行业领先地位。为支持日益增长的人工智能需求和用例，HBM3E以更低功耗提供更大吞吐量，从而改善数据中心的主要运营支出指标。

Micron Technology宣布量产HBM3E高带宽内存解决方案

-无缝的可扩展性：美光HBM3E目前提供24GB容量，使数据中心能够无缝扩展其人工智能应用。无论是用于训练海量神经网络还是加速推理任务，美光的解决方案都提供了必要的内存带宽。

Micron美光执行副总裁暨首席商务官Sumit Sadana表示：“美光凭借HBM3E这一里程碑式产品取得了三大成就：领先业界的上市时间、引领行业的性能和出众的能效表现。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量。美光拥有业界领先的HBM3E和HBM4产品路线图，以及为AI应用打造的DRAM和NAND全套解决方案，为助力人工智能未来的大幅增长做足了准备。”

美光利用其1β（1-beta）技术、先进的硅通孔（TSV）和其他实现差异化封装解决方案的创新技术开发出业界领先的HBM3E设计。美光作为2.5D/3D堆叠和先进封装技术领域长久以来的存储领导厂商，有幸成为台积电3Dfabric联盟的合作伙伴成员，共同构建半导体和系统创新的未来。

美光将于2024年3月出样12层堆叠的36GB容量HBM3E，提供超过1.2TB/s的性能和领先于竞品的卓越能效，从而进一步强化领先地位。美光将赞助3月18日开幕的英伟达GTC全球人工智能大会，届时将分享更多前沿AI内存产品系列和路线图。

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