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通过采用意法半导体的SiC MOSFET，设计师可以将宽带隙材料（WBG）的创新优势引入其新项目中。这些碳化硅MOSFET提供650V至2200V的宽电压范围，基于先进的技术平台，具备卓越的开关性能和极低的单位面积导通电阻。
汽车级认证：满足严苛的汽车行业标准。
耐高温能力：最高结温可达200°C。
高频操作与低损耗：支持超高频率工作，并具有极低的开关损耗。
低导通电阻：降低能耗，提高效率。
兼容现有栅极驱动IC：简化设计过程。
稳定快速的体二极管：增强整体系统的可靠性。
SCTH60N120G2-7：Gen2 1200 V STPOWER SiC MOSFET采用微型H2PAK-7 SMD封装，功率密度更高装。
SCTWA35N65G2V-4：碳化硅功率 MOSFET 650 V，典型值 55 mOhm，45 A，采用 HiP247-4 封装。
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意法半导体提供的SiC MOSFET产品线覆盖了多种先进封装形式，如HiP247、H2PAK-7、TO-247长引线、STPAK及HU3PAK，专门针对汽车和工业应用的需求进行优化设计。此外，包括第三代G3在内的所有型号均可提供裸晶片选项，符合严格的汽车级要求，例如晶圆级老化测试（WLBI）和已知良好晶片（KGD）流程，支持重构晶圆或卷盘封装形式供货。
意法半导体的SiC MOSFET提供650V至2200V电压范围，具备卓越开关性能和低导通电阻，适用于汽车和工业应用，支持高频操作并具有高耐温特性。代理销售意法半导体旗下全系列IC电子元器件-金沙娱场城app7979为您提供意法半导体碳化硅（SiC）MOSFET选型表及现货。金沙娱场城app7979现货供应意法半导体碳化硅（SiC）M...【详情+】
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