Vishay发布新一代600V E系列功率MOSFET，提供高效高功率密度解决方案

来源：Vishay官网| 发布日期：2024-05-10 09:47:52 浏览量：

Vishay最近推出了首款采用新型PowerPAK® 8 x 8 LR封装的第四代600V E系列功率MOSFET，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。这款Vishay Siliconix的n沟道SiHR080N60E功率MOSFET相较于前代器件，导通电阻降低了27%，导通电阻与栅极电荷乘积（即600V MOSFET在功率转换应用中的FOM）下降了60%，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小了占位面积。

Vishay的丰富MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖了各种需要高压输入到低压输出的先进高科技设备。SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600V E系列器件的发布，使得Vishay能够在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度的双重需求，包括功率因数校正（PFC）和后续的DC/DC转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机、数据存储、UPS、HID灯和荧光镇流器、通信SMPS、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动，以及电池充电器。

Vishay发布新一代600V E系列功率MOSFET

SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8 LR封装，外形尺寸为10.42mm x 8mm x 1.65mm，占位面积比D2PAK封装减小了50.8%，高度降低了66%。由于封装采用顶侧冷却，具有出色的热性能，结壳（漏极）热阻仅为0.25°C/W。在相同导通电阻下，额定电流比D2PAK封装高46%，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。

SiHR080N60E采用Vishay先进的高能效E系列超级结技术，10V下典型导通电阻仅为0.074Ω，超低栅极电荷下降到42nC。器件的FOM为3.1Ω*nC，达到业内先进水平，这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而实现节能并提高2kW以上电源系统的效率。此外，封装还提供开尔文（Kelvin）连接，以提高开关效率。

该器件符合RoHS标准，无卤素，耐受雪崩模式下过压瞬变，并保证极限值100%通过UIS测试。如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

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