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安世半导体碳化硅产品的主要优势在于其出色的性能平衡。通过创新工艺技术,首款SiC MOSFET实现了业界领先的温度稳定性,工作温度范围25℃至175℃内,RDS(on)标称值仅增加38%。其总栅极电荷(QG)低,带来更低的栅极驱动损耗,同时QGD与QGS比率低,提高了器件对寄生导通的抗扰度。此外,SiC MOSFET的VGS(th)阈值电压器件间分布差异低,体二极管正向电压(VSD)较低,有助于提高器件的稳健性和效率。
为确保碳化硅器件的质量和可靠性,安世半导体进行了2000小时的可靠性测试,同时超出市场标准,还进行额外的工业和车规可靠性测试。研发团队拥有多年碳化硅开发经验,产品质量控制达到PPB级别标准,每10亿颗器件的失效率极低。在RDson温漂数据方面,产品可以实现业界领先的RDSon温度稳定性,在25℃至175℃的工作温度范围内,RDSon的标称值仅增加38%。
安世半导体的碳化硅分立器件可广泛应用于电动汽车OBC、DC-DC、充电桩、UPS、太阳能和储能系统逆变器等领域,满足对高性能SiC MOSFET的需求。该公司的碳化硅驱动电压范围为-5V至+15V/+18V,在-10V和+22V的上下限范围内。此外,安世半导体的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET、GaN FET、模拟和逻辑IC以及IGBT等特色产品。如需选型指导、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。