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据韩国媒体ETNews报道，由于在能效等方面表现优异，美光迅速崭露头角，成为SK海力士和三星电子两大韩国存储企业在HBM内存领域面临的威胁。受多重因素影响，美光在HBM领域一直处于劣势地位。然而，在2022年，美光大胆决定停止HBM3的量产，将重心转移到HBM3E内存的研发和改进上。
这一决策带来了丰硕的成果：美光已获得了HBM最大需求方英伟达的订单，开始向英伟达H200 AI GPU供应HBM3E内存。美光之所以迅速崛起成为韩国厂商的威胁之一，原因之一是其能效优势：美光声称其8Hi堆叠的24GB HBM3E内存功耗比竞品降低了30%。
在人工智能需求激增的当下，低功耗技术逐渐成为行业的关注焦点。更为节能的HBM3E内存有助于降低系统热量和功耗，减少散热需求，从而降低人工智能数据中心的总体成本。此外，考虑到美国渴望增加半导体自给率，美光获得了美国政府大量资金支持，得以兴建新型存储晶圆厂。
美光作为美国企业，其身份也使其更容易接触英特尔和AMD等AI芯片企业，从而赢得更多的HBM订单。根据TrendForce集邦咨询今年3月的研究报告，截至2023年底，美光每月HBM产能仅有3000片12英寸晶圆，市场占比为整体市场的3.2%。
预计到2024年底，美光的HBM产能将达到每月20000片晶圆，市场份额也将大幅提升至11.4%。展望美光未来的产品线，据报道，其单堆栈容量可达36GB的12Hi HBM3E内存已于3月初完成采样，计划于2025年实现大规模量产。而对于更进一步的HBM4一代，韩国媒体称美光计划在2025年下半年实现HBM4内存的研发，而HBM4E的研发完成时间则被设定在2028年。如需美光产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
生成式AI技术在云端到边缘计算的广泛应用中迅速普及，推动着系统架构在异构计算环境中的重大创新。AI的快速发展不仅推动了工业4.0、自动驾驶汽车、AI个人电脑和智能手机等边缘应用的发展趋势，同时也催生了内存子系统的重大技术创新，以提供更高的容量、带宽、可靠性和更低的功耗，这...【详情+】
近期，美光发布的内存和存储产品组合备受瞩目，这些新成就为AI技术的飞速发展增添了活力。美光推出的8层堆叠和12层堆叠HBM3E解决方案在业界引领潮流，其功耗比竞品低30%。特别引人注目的8层堆叠24GB HBM3E产品将应用于NVIDIA H200 Tensor Core GPU中。在最近的Six Five Media节目中...【详情+】
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