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近日,存储芯片产业界发出警告称,由于业界对高带宽存储(HBM)这类DRAM的大规模投资,通用型DRAM可能面临供应短缺的风险。有消息披露,三星和SK海力士的通用型DRAM芯片产能利用率目前维持在80%至90%之间,而这一数据与NAND闪存的高产形成鲜明对比。2024年年初以来,通用型DRAM产能仅提升约10%。
通用型DRAM主要用于手机和个人电脑等设备,而HBM DRAM则被广泛应用于人工智能(AI)领域。近期,企业级固态硬盘(eSSD)需求大幅增长,这促使三星、SK海力士等制造商在2024年第二季度全力运转NAND生产线。与此同时,市场状况的改善导致铠侠在六月结束减产,使NAND产能利用率恢复至100%。
尽管服务器市场一直是DRAM需求的主要动力,但全球云计算和科技公司对AI基础设施的投资大幅减少,这抑制了DRAM需求的复苏。专家指出,随着设备更换周期的延长,2024年智能手机、个人电脑和服务器市场的增长预计仅在2%至3%之间。
业内人士表示,尽管当前形势较为严峻,但通用型DRAM需求有可能会出现反弹,这将取决于终端设备的AI应用能力普及情况。
目前,PC制造商正在积极推进AI PC概念,而三星、苹果等智能手机厂商也在寻求智能手机领域的发展机会。业内人士认为,这些举措是否能够显著改善通用型DRAM市场仍有待观察。未来,该市场的走势将备受关注。