美光科技推出MRDIMM：开启内存技术新纪元，赋能数据中心未来

2024年7月16日，全球领先的半导体解决方案供应商美光科技股份有限公司（NASDAQ: MU）宣布，已开始向客户出样其最新研发的多路复用双列直插式内存模块（MRDIMM）。这款革命性的内存模块专为应对复杂工作负载而设计，旨在推动计算基础设施的效能边界，尤其适用于内存密集型的虚拟化多租户、高性能计算和AI数据中心环境。

美光MRDIMM的推出，标志着内存技术的一个重要里程碑。它不仅提供了前所未有的内存带宽、容量和低延迟，还实现了更高的每瓦性能。相比传统的TSV RDIMM，MRDIMM能够支持每个DIMM插槽超过128GB的内存，展现出色的性能优势。作为美光MRDIMM系列的首款产品，它将与英特尔®至强®6处理器平台兼容，为用户带来卓越的计算体验。

美光副总裁兼计算产品事业群总经理Praveen Vaidyanathan强调：“美光的MRDIMM是下一代服务器平台的理想选择，它在提供与RDIMM相同的可靠性、可用性、适用性和接口的基础上，大幅提升了任务执行效率和能源利用率，为AI推理和高性能计算领域开辟了全新的可能性。”

MRDIMM通过严格遵循DDR5的物理和电气标准，实现了内存架构上的重大突破。相较于RDIMM，MRDIMM能够提供高达39%的有效内存带宽提升、超过15%的总线效率提升以及高达40%的延迟降低。这些优势使得MRDIMM成为高性能1U和2U服务器的理想选择，提供从32GB到256GB的容量范围，满足多样化的应用需求。

美光科技精心设计的TFF（Thin Form Factor）模块，通过优化的散热方案，能够在相同的功耗和气流条件下，将DRAM温度降低高达20摄氏度，显著改善了数据中心的热管理和能效。利用先进的32Gb DRAM芯片，256GB TFF MRDIMM实现了与128GB TFF MRDIMM相媲美的功耗水平，同时在数据传输速率方面比同等容量的TSV RDIMM提升了35%，极大地优化了总系统任务能耗，为数据中心带来了前所未有的TCO（Total Cost of Ownership）优势。

英特尔副总裁兼数据中心至强6产品管理总经理Matt Langman表示：“MRDIMM与英特尔至强6处理器的无缝兼容，为客户提供了更多的灵活性和选择空间。无论是在高性能计算、AI还是其他工作负载场景下，MRDIMM都能提供卓越的性能表现，与英特尔至强6平台完美融合，为用户提供无与伦比的计算体验。”

联想集团副总裁兼人工智能和高性能计算总经理Scott Tease指出：“美光MRDIMM的出现，将有力弥补处理器和GPU核心数量激增与内存带宽增长之间的不平衡，特别是在AI推理、再训练以及高性能计算等关键领域，将极大缩小带宽差距，为用户带来更加均衡、高效和可持续的技术解决方案。”

目前，美光MRDIMM已经上市，并计划于2024年下半年进入大规模量产阶段。未来，美光将继续推动MRDIMM产品的迭代升级，承诺后续几代产品将提供比同代RDIMM高出45%的单通道内存带宽，持续引领内存技术的发展潮流。