安森美引领SiC技术创新，推动电动车能效提升

来源：安森美官网| 发布日期：2024-07-30 14:08:56 浏览量：

安森美（onsemi）凭借其在裸芯片性能、差异化封装技术和模块设计领域的独特优势，成为了碳化硅（SiC）功率器件领域的领军者。该公司专注于第三代平面栅结构碳化硅器件的研发，并在沟槽栅结构方面持续探索，同时通过封装技术的不断迭代，以满足不同应用的需求。

SiC功率器件及封装技术

安森美的SiC功率器件涵盖了SiC MOSFET、SiC二极管以及全SiC和混合SiC模块。这些器件采用了差异化的压铸模封装，并且SiC工艺平台已经从M1的方形元胞结构、M2的六边形元胞结构发展到了M3的条形元胞结构。这种技术迭代带来了在导通电阻、开关损耗、反向恢复损耗以及短路时间等关键性能指标上的显著改进，同时也实现了成本的优化。

功率模块及先进封装

通过采用先进的封装技术，如银烧结和压铸模双面水冷等，安森美实现了高效率和高功率密度的功率模块。这些模块被应用于车载充电器、主驱逆变器和DC-DC转换器等领域，有效优化了能源使用，延长了电池寿命，并确保了车辆电气系统的稳定运行。特别值得一提的是，安森美推出的Top Cool MOSFET将散热焊盘移至顶部，使得散热器可以直接焊接到器件上，这不仅提高了MOSFET的散热性能，还允许在PCB的下侧布置更多元件，从而提高了功率密度并简化了设计。

安森美引领SiC技术创新，推动电动车能效提升

VE-Trac Dual：优化牵引逆变器性能

VE-Trac Dual是安森美专为插电式混合动力车（PHEV）、完全混合动力车（HEV）、纯电池车（BEV）和燃料电池电动车（FCEV）设计的电源模块。它针对牵引逆变器进行了优化，实现了双面冷却技术，进而获得了高功率密度和紧凑的尺寸。逆变器作为电力传动系统的关键组件，其性能直接影响电动车的整体能效和续航里程。通过VE-Trac Dual，安森美旨在进一步提高电动车的能效。

主驱电源封装技术的发展

按照规划，安森美将在2023年中期将其主驱电源封装技术从双面间接水冷过渡到直接水冷模式，并预计到2023年底实现双面直接水冷，2024年中期将进一步优化为双面直接水冷+方案。这一系列的技术进步旨在不断降低器件的热阻。

仿真工具支持快速开发

为了帮助电力电子工程师节省时间和成本，安森美还提供了针对EliteSiC系列及应用的Elite Power Simulator在线仿真工具和PLECS模型自助生成工具。这些工具使工程师能够在开发周期的早期阶段，通过对复杂电力电子应用进行系统级仿真来获取有价值的信息，适用于软/硬开关应用、边界建模和自定义寄生环境。

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