意法半导体STGAP2SICSA：为SiC MOSFET提供安全可靠的栅极驱动解决方案

意法半导体（ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器产品线旨在提供一种完美的结合：稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性。这些驱动器集成了高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，适用于多种应用场合。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器尤其突出，它在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供了电气隔离，确保了无缝集成和优质性能。

选择正确的栅极驱动器的重要性

随着碳化硅（SiC）技术的广泛应用，对可靠且安全的控制解决方案的需求变得更为迫切。ST的STGAP系列电气隔离栅极驱动器成为了不可或缺的一部分。STGAP2SICS系列针对SiC MOSFET的安全控制进行了特别优化，并能在高达1200V的高压下工作，使其成为节能型电源系统、驱动器和控制装置的理想选择。从工业电动汽车充电系统到太阳能、感应加热和汽车OBC DC-DC转换器，STGAP2SICS系列能够简化设计、节省空间，并增强系统的稳健性和可靠性。

STGAP2SICSA：汽车级栅极驱动器

STGAP2SICSA是一款符合汽车AEC-Q100标准的单通道栅极驱动器，专门优化用于控制SiC MOSFET。它采用了节省空间的窄体SO-8封装（型号：STGAP2SICSAN）和宽体SO-8W封装（型号：STGAP2SICSA），能够通过精确PWM控制提供强大的性能。

STGAP2SICSA在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离，能够在高达1700V（SO-8封装）和1200V（SO-8W封装）的电压下工作。它具有小于45ns的输入到输出传播时间，确保了高PWM精度，并凭借±100V/ns的共模瞬态抗扰度（CMTI）实现了可靠的开关操作。内置保护功能包括欠压锁定（UVLO），防止SiC电源开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，一旦检测到结温过高则会降低两个驱动器的输出。

STGAP2SICSA具有带米勒钳位功能的单输出配置，这种配置增强了高频硬开关应用的稳定性，并利用米勒钳位来防止电源开关发生振荡。

STGAP2SICSA的逻辑输入低至3.3V，并与TTL和CMOS逻辑兼容，简化了与主机微控制器或DSP的连接。该驱动器在高达26V的栅极驱动电压下能够提供高达4A的推拉电流。具有独立输入引脚的关断模式有助于最大限度地降低系统功耗。如需STGAP2SICSA产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

合作伙伴关系

近期，ST宣布与致瞻科技（ZINSIGHT）建立了合作伙伴关系。ZINSIGHT是一家在全球范围内唯一一家在新能源汽车400V、800V、1000V平台上成熟量产基于碳化硅方案的电动压缩机控制器企业。ST的第三代SiC MOSFET和隔离栅极驱动器技术在ZINSIGHT的一流电动压缩机解决方案中得到了成功的应用，这标志着双方在碳化硅技术领域的紧密合作，共同推动了电动汽车行业的技术创新与发展。