安森美推出首款TOLL封装SiC MOSFET：NTBL045N065SC1

来源：安森美官网| 发布日期：2024-09-06 10:07:24 浏览量：

安森美（onsemi）近日宣布推出其首款采用TOLL（Thin Outer Leadless Leadframe，薄型无引脚框架）封装的碳化硅（SiC）MOSFET——NTBL045N065SC1。这款新型SiC MOSFET具有650V的VDSS额定电压，典型导通电阻RDS(on)为33毫欧姆，最大漏极电流可达73安培。其最高工作温度为175°C，并且具备超低栅极电荷，能够显著减少开关损耗。此外，TOLL封装被赋予了MSL 1（湿度敏感度等级1级）评级，适合用于各类严苛环境下的应用，如开关模式电源（SMPS）、服务器和电信电源、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）及储能系统。这些应用往往需要满足诸如ErP和80 PLUS Titanium等最严格的效率标准。如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

SiC模块化封装技术

随着SiC器件在更广泛领域的应用，越来越多的设计需要在一个模块中集成多个器件。因此，集成封装技术成为了SiC器件封装领域的一个重要研究方向。除了考虑单个器件的性能外，还需要确保整个模块的综合性能、稳定性和可靠性。

与传统的单管封装相比，SiC功率模块在降低寄生效应、提高散热性能以及增强长期可靠性和耐温性方面展现出明显优势。例如，模块化封装能够减少高速开关过程中关断时的电压尖峰，通过降低封装的寄生电感来缓解电气应力。尽管SiC材料本身能够在400°C以上的高温环境下工作，但实际应用中器件的工作温度仍然受限于封装材料，如封装化合物、互连结构和晶圆附着材料。

安森美SiC模块化封装解决方案

在安森美的SiC模块化封装产品系列中，VE-Trac B2 SiC模块是一个典型的例子。该模块在一个半桥架构中整合了安森美的所有SiC MOSFET技术。通过采用银烧结技术进行裸片连接，并使用压铸模工艺实现坚固封装，从而提高了能效、功率密度和可靠性。VE-Trac B2模块符合AQG 324汽车功率模块标准，其SiC芯片组运用了安森美的M1 SiC技术，提供了高电流密度、强大的短路保护、高阻断电压和高工作温度，为电动汽车主驱应用带来了卓越性能。

通过引入TOLL封装技术及其在SiC模块化封装方面的创新，安森美不仅提升了SiC MOSFET的性能，还为电力电子设备的设计者提供了更高效、可靠的解决方案，助力实现更高水平的节能减排和可持续发展目标。

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