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随着工业应用对更高功率水平的需求日益增长,提高直流母线电压成为减少功率损耗的有效途径。为了满足这一需求,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出了CoolSiC™肖特基二极管2000V G5系列。这是市面上首款击穿电压达到2000V的分立碳化硅二极管,适用于直流母线电压高达1500 VDC的应用,额定电流范围从10A到80A,特别适合光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用。
该产品系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装,具有14mm的爬电距离和5.4mm的间隙距离。结合高达80A的额定电流,这种封装显著提升了功率密度。开发人员可以利用这些特性在应用中实现更高的功率水平,同时将元件数量减少至传统1200V SiC解决方案的一半,从而简化整体设计,并实现从多电平拓扑结构到两电平拓扑结构的平稳过渡。
CoolSiC™肖特基二极管2000V G5采用了.XT互连技术,大幅降低了热阻和阻抗,优化了热管理。此外,该二极管通过了HV-H3TRB可靠性测试,证明了其对湿度的耐受性。由于没有反向或正向恢复电流,并且具有正向低电压的特点,这款二极管确保了更优的系统性能。
2000V二极管系列与英飞凌于2024年春季推出的TO-247PLUS-4 HCC封装的CoolSiC™ MOSFET 2000V完美适配。CoolSiC™二极管2000V产品组合还将通过提供TO-247-2封装而得到扩展,该封装预计将于2024年12月推出。此外,英飞凌还提供了与CoolSiC™ MOSFET 2000V匹配的栅极驱动器产品组合,进一步增强了系统的集成性和可靠性。
采用TO-247PLUS-4 HCC封装的CoolSiC™肖特基二极管2000V G5系列及其评估板现已上市。这为开发人员提供了立即开始评估和设计的机会,以便尽早将其应用于实际项目中。如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。
英飞凌推出的CoolSiC™肖特基二极管2000V G5系列不仅填补了市场上高电压碳化硅二极管的空白,还为高直流母线电压应用提供了高性能、高可靠性的解决方案。通过优化的封装设计、卓越的热管理和全面的配套产品,这款二极管将帮助开发人员在追求更高功率水平的同时,降低系统复杂性和成本。无论是光伏系统还是电动汽车充电站,CoolSiC™肖特基二极管2000V G5都是理想的组件选择。