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F159V 是瑞萨电子一款双路集成 TRx IC,工作频率范围为 450MHz 至 2800MHz。该器件提供两个独立的传输路径,每个路径具有 18.3dB 的典型最大增益,相应的输出本底噪声为 -142.5dBm/Hz、+31dBm OIP3 和 +14dBm 输出 P1dB,设计用于在单 +3.3V 电源下运行,同时仅消耗 685mA DC当前的。每个信号路径包括正交调制器、电压可变衰减器 (VVA)、数字步进衰减器 (DSA) 和固定增益放大器。该器件使用 SPI 控制的 11 位 DAC 支持总共 32dB VVA 调整范围,并且每个 DSA 使用 SPI 控制以 1dB 步长提供 31dB 增益控制范围。
片上频率合成器由两条路径共享,并针对多载波、多模式 FDD 和 TDD 基站发射机的使用进行了优化,可实现 GSM 级性能。合成器提供整数模式和小数模式。它需要一个外部环路滤波器和一个频率范围为 10MHz 至 250MHz 的外部参考振荡器。
独立双路运行
射频输出频率:450MHz至2800MHz
18.3dB 典型最大增益(无衰减)
+31dBm OIP3(无衰减)
+14dBm 输出 P1dB(无衰减)
13dB NF 对应于 -142.5dBm/Hz 输出本底噪声(无衰减)
输出本底噪声-152.3dBm/Hz(VVA=14dB,DSA=1dB)
通道隔离度:47dB
DSA 总增益范围为 31dB,步长为 1dB
多个 VVA,增益范围为 32dB,由片上 SPI 控制的 11 位 DAC 控制
可变增益放大器 (VGA) 由 DSA、VVA 和固定增益放大器组成
对于高端 LO 注入,I 超前 Q 90 度
支持 ZIF 或 CIF 架构
共模电压范围:+0.1V至+0.8V
整数 N 和分数 N 合成器
由 I/Q DAC 直接 110Ω 差分驱动
50Ω单端射频输出阻抗
内部或外部 LO 选择
+3.3V 电源电压,685mA(LO_Out 未打开)
指定外壳温度:-20°C 至 +115°C
10 × 10 mm,68-VFQFPN 封装
如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。