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英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET模块:卓越性能驱动未来电力解决方案

来源:英飞凌官网| 发布日期:2024-02-01 09:52:13 浏览量:

随着电动汽车、储能系统和光伏等领域的不断发展,英飞凌(Infineon)再次推陈出新,推出一批创新型的CoolSiC™ MOSFET模块,共包含12个不同型号的EasyPACK™和EasyDUAL™ 1B以及2B。这些模块采用了CoolSiC™ MOSFET增强型1代技术,广泛适用于电动汽车充电、UPS(不间断电源)、光伏以及储能等多个领域。

新一代产品的亮点

这次上市的模块集成了PressFIT压接技术,并配备了NTC温度检测功能,提供了两种版本的Al2O3和AlN DCB。其中,带有"P"标记的型号还搭载了预涂的TIM(热导材料),进一步提升了散热性能。

英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET模块

产品型号一览

以下是其中一些突出的产品型号:

- F4-8MR12W2M1H_B70:8毫欧 H桥 AlN DCB

- F4-11MR12W2M1HP_B76:11毫欧 H桥 TIM

- FF11MR12W2M1HP_B11:11毫欧 半桥 TIM

- FS13MR12W2M1H_C55:13毫欧 三相桥 AIN DCB

产品特点及应用价值

这些CoolSiC™ MOSFET模块的特点包括:

- 1200V CoolSiC™ MOSFET

- Easy1B,Easy2B封装

- 非常低的模块寄生电感

- RBSOA反向工作安全区宽

- 栅极驱动电压窗口大

- PressFIT引脚

这些特点为模块提供了更高的可靠性和稳定性。同时,产品的应用价值体现在其扩展的栅源电压最大值、在过载条件下可达的最高温度(Tvjop最高可达175°C),以及优越的性价比,有望降低系统成本。此外,这些模块还支持高开关频率,从而改善对冷却系统的要求。

竞争优势与广泛应用

这一系列CoolSiC™ MOSFET模块为市场提供了完整的半桥SiC模块产品组合,其中包括标准Al2O3 DCB和低热阻高性能AIN DCB。这使得英飞凌在不同应用场景中都能提供最优解决方案,包括电动汽车充电、储能系统、光伏和UPS等领域。

这一系列模块的推出,标志着英飞凌在推动电力解决方案创新方面迈出了坚实的一步。其卓越的性能和多功能特点将为未来电动交通和能源存储领域的发展注入更多动力。如需采购芯片、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。

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