英飞凌推出3300W无桥图腾柱PFC参考设计

英飞凌科技近日发布了一款全新的3300W无桥图腾柱PFC（功率因数校正）参考设计——REF_3K3W_TP_SIC_TOLL。这款参考设计集成了英飞凌的高性能功率半导体、驱动器和微控制器，专为高端应用而设计，这些应用对效率和功率密度有着极高的要求。

产品概述

REF_3K3W_TP_SIC_TOLL采用创新的无桥图腾柱拓扑结构，显著减少了元件数量，并通过优化PFC电感器和功率开关的使用，实现了高功率密度，同时保持了较低的系统成本。这种设计不仅简化了电路布局，还提升了整体系统的可靠性和性能。

关键器件

1EDB8275F 和 1EDB9275F：EiceDRIVER™单通道隔离栅极驱动器。

BAT 165 E6327：肖特基二极管。

ICE5QSAG：CoolSET™准谐振控制器。

IMT65R048M1H：650V CoolSiC™ MOSFET，采用TOLL封装。

IPT60R022S7：CoolMOS™ S7超结MOSFET。

IPU95R3K7P7：CoolMOS™ P7系列MOSFET。

XMC1402-Q040X0064 AA：基于ARM® Cortex-M0®的XMC™ 32位微控制器。

如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

产品特点

基于碳化硅的图腾柱PFC：利用CoolSiC™和CoolMOS™技术，实现最高效率。

高功率密度SMD设计：紧凑的外形设计，适合空间受限的应用。

数字控制：由XMC1402微控制器实现全数字控制，确保系统的稳定性和灵活性。

应用价值

完整的解决方案：提供从半导体到驱动器和微控制器的一站式解决方案。

高效率：在1650瓦、50%负载条件下，峰值效率高达98.9%。

紧凑型设计：功率密度达到80W/in³，外形尺寸为1U。

减少元件数量：简化电路设计，降低制造成本。

竞争优势

高效能：REF_3K3W_TP_SIC_TOLL的峰值效率高达98.9%，适用于高功率密度的应用。

紧凑外形：采用TOLL封装的CoolSiC™ MOSFET 650V G1和600V CoolMOS™ MOSFET，结合CoolSiC™和CoolMOS™技术，实现高性能和紧凑设计。

全数字控制：通过XMC™ 1000系列微控制器实现全数字控制，不仅在稳态条件下表现出色，还能满足电源线干扰和掉电保持时间的要求。

应用领域

电信基础设施：适用于交流-直流功率转换，提高能源效率。

电池充电器：适用于各种类型的电池充电器，包括电动汽车充电站。

电动汽车充电：支持快速充电站的高功率需求。

功率转换：适用于需要高效率和高功率密度的工业和消费电子应用。

服务器电源：为数据中心和服务器提供高效可靠的电源解决方案。

框图

总之，英飞凌的REF_3K3W_TP_SIC_TOLL参考设计凭借其卓越的效率、紧凑的设计和高度集成的解决方案，为高端应用提供了强大的技术支持。无论是电信基础设施、电动汽车充电还是服务器电源，该设计都能满足最苛刻的应用需求。