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三星电子最近宣布成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这也是三星目前容量最大的HBM产品。公司已开始向客户提供HBM3E 12H样品，计划于今年下半年开始大规模量产。
据介绍，三星HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，产品容量达到36GB。相较于三星8层堆叠的HBM3 8H，HBM3E 12H在带宽和容量上提升超过50%。预计在人工智能应用中，HBM3E 12H可使人工智能训练平均速度提升34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。
HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜(TC NCF)技术，确保12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的需求。据悉，HBM3E 12H产品的垂直密度比HBM3 8H产品提高了20%以上。
三星电子存储器产品企划团队执行副总裁Yongcheol Bae表示，当前人工智能服务供应商对更高容量的HBM需求日益增长，新产品HBM3E 12H正是为满足这需求而设计。这一新的存储解决方案展示了公司在多层堆叠HBM核心技术研发方面的努力，为高容量HBM市场在人工智能时代提供技术领导力。
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