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据韩媒报道，德州仪器（TI）的一位高层透露，该公司正计划将其多个晶圆厂生产的6英寸氮化镓（GaN）芯片转移到8英寸晶圆厂进行生产。这一举措旨在提高生产效率并降低GaN芯片的价格。
德州仪器的韩国公司经理Jerome Shin在首尔举行的新闻发布会上表示，该公司正在筹备在达拉斯和日本会津建造8英寸晶圆厂，这将使德州仪器能够提供更有竞争力的GaN芯片。Jerome Shin指出，尽管人们过去普遍认为GaN芯片比碳化硅（SiC）芯片更昂贵，但自2022年以来这种看法已经发生了变化。随着德州仪器将生产规模从6英寸晶圆厂转移到8英寸晶圆厂，每个晶圆上能够容纳更多芯片，这将提高公司的生产力并使GaN芯片的量产价格更为实惠。
目前，GaN芯片的价格已经低于SiC芯片。未来，随着德州仪器达拉斯和日本会津工厂的改造完成，公司将能够提供更具竞争力的解决方案。预计达拉斯工厂的扩产将于2025年完成，然而Jerome Shin并未透露日本会津工厂的时间表。
市场人士担心，德州仪器的这一计划可能导致GaN芯片价格全面下跌。除了GaN芯片，德州仪器还在将电源管理芯片的生产从8英寸晶圆厂转移到12英寸晶圆。这一举措已经导致电源管理芯片价格下跌，但也使得德州仪器节省了超过10%的成本。
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