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英飞凌近日宣布推出了1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块，该模块采用了M1H芯片技术，显著提升了在VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口等方面的性能。新规格为2.9mΩ 1200V，用户可根据需求选择带或不带热界面材料(TIM)的产品。
该系列产品包括FF3MR12KM1H 2.9mΩ、1200V 62mm半桥模块，以及FF3MR12KM1HP 2.9mΩ、1200V 62mm半桥模块，预涂TIM。产品特点包括集成体二极管，优化了热阻，栅极氧化层可靠性突出，具备抗宇宙射线能力强的特点。
该模块针对应用苛刻条件进行了优化，具有更低的电压过冲、最小的导通损耗以及高速开关、极低损耗的优点。对称模块设计实现了对称的上下桥臂开关行为，标准模块封装技术保证了可靠性。此外，生产线采用62毫米高产量生产线生产。
英飞凌此次推出的产品在碳化硅扩展成熟的62毫米封装产品基础上，以满足快速开关和低损耗需求。该产品具备电流密度最高、防潮性能强等竞争优势。
这款模块适用于多个领域，包括储能系统、电动汽车充电、光伏逆变器以及UPS等应用场景。如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
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