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英飞凌科技股份公司今日宣布，已成功开发出全球首个300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。作为全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业，英飞凌将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。与200mm晶圆相比，300mm晶圆技术不仅在技术上更为先进，由于晶圆直径的增加，每片晶圆上的芯片数量增加了2.3倍，生产效率也显著提高。
基于GaN的功率半导体正在工业、汽车、消费、计算和通信应用中迅速普及，包括人工智能系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统等。先进的GaN制造工艺能够提升器件性能，为终端客户的应用带来更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总成本。此外，300mm制造工艺的可扩展性还为供应链提供了更高的稳定性。
英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一重大成功是英飞凌创新实力和全球团队辛勤工作的结晶，进一步确立了我们在GaN和功率系统领域的创新领导地位。这一技术突破将推动行业变革，使我们能够充分挖掘GaN的潜力。在收购GaN Systems近一年后，我们再次展示了在快速增长的GaN市场成为领导者的决心。”
英飞凌在其位于奥地利菲拉赫（Villach）的功率半导体晶圆厂中，利用现有的300mm硅生产设备的整合试产线，成功生产出300mm GaN晶圆。英飞凌正通过现有的300mm硅和200mm GaN的成熟产能发挥其优势，同时根据市场需求进一步扩大GaN产能。凭借300mm GaN制程技术，英飞凌将推动GaN市场的持续增长。预计到2030年末，GaN市场规模将达到数十亿美元。
这一开创性的技术成就凸显了英飞凌在全球功率系统和物联网半导体领域的领导地位。英飞凌正通过布局300mm GaN技术，打造更具成本效益、能够满足客户系统全方位需求的产品，以加强现有解决方案并使新的解决方案和应用领域成为可能。2024年11月，英飞凌将在慕尼黑电子展（electronica）上向公众展示首批300mm GaN晶圆。
由于GaN和硅的制造工艺十分相似，因此300mm GaN技术的一大优势是可以利用现有的300mm硅制造设备。英飞凌现有的大批量300mm硅生产线非常适合试产可靠的GaN技术，既加快了实现的速度，又能有效利用资本。300mm GaN的全规模化生产将有助于实现GaN与硅的成本在同一RDS(on)级别能够接近，这意味着同级别的硅和GaN产品的成本将能够持平。
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